Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 24: Postersitzung
DS 24.31: Poster
Donnerstag, 26. März 1998, 15:00–19:00, PF A
Herstellung von Implantationsmasken f"ur das P-LIGA-Ver"-fahren durch Sputtern mit einem fokussierten Ga+-Ionenstrahl — •R. Menzel, T. Bachmann, and W. Wesch — Institut f"ur Festk"orperphysik, Friedrich-Schiller-Universit"at Jena, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena, Germany
Das P-LIGA-Verfahren ist eine vielversprechende Methode zur Herstellung von mikromechanischen und mikrooptischen Bauelementen. Hierbei k"onnen dreidimensionale (3D-) Strukturen mit gekr"ummter Oberfl"ache durch Protonenbestrahlung (zun"achst in PMMA) erzeugt werden. Die dabei notwendige Variation der Eindringtiefe kann durch Kipp- und Drehbewegungen mit einem hochpr"azisen Goniometer oder durch eine entsprechende Ver"anderung der Protonenenergie erreicht werden. Eine einfachere Alternative ist die direkte Struktur"ubertragung mittels Durchstrahlung einer entsprechenden 3D-Maske. Zur Herstellung einer solchen Implantationsmaske bietet sich der Materialabtrag in einer m"oglichst glatten d"unnen Folie mit Hilfe eines fokussierten Ionenstrahls an. Nach Testbestrahlungen verschiedener Materialien erschien Silizium wegen der relativ hohen Sputtertiefen (400 nm pro 1 × 1018 Ga+ bei 40 keV) und der geringen rms-Rauheiten als ein geeignetes Material zur Herstellung solcher Masken. Daher wurden linsenartige Strukturen in Siliziumfolien durch Materialzerst"aubung mittels eines fokussierten Ga+-Ionenstrahls erzeugt. Die mit einem AFM-Profilometer bestimmten rms-Rauheiten der bestrahlten Gebiete liegen im Bereich von 3…8 nm.