Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 24: Postersitzung

DS 24.35: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 15:00–19:00, PF A

Tiefenselektive Phasenanalyse Si-ionenimplantierter α-Fe- Oberflächen mittels DCEMS — •M. Walterfang¹, S. Kruijer¹, W. Keune¹, M. Dobler² und H. Reuther² — ¹Laboratorium für Angewandte Physik, Gerhard-Mercator-Universität Duisburg, 47048 Duisburg — ²Forschungszentrum Rossendorf e.V., Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung, 01314 Dresden

Eisenreiche FeSi-Proben, hergestellt durch Implantation von 50 bzw. 100 keV Si⁺-Ionen bei Raumtemperatur in α-Fe-Oberflächen mit einer nominellen Dosis von jeweils 5×10¹⁷ cm⁻² , wurden mittels tiefenselektiver Konversionselektronen-Mössbauerspektroskopie (DCEMS) zerstörungsfrei untersucht, um die Tiefenverteilung der metallischen Phasen zu bestimmen. Die Spektren zeigen direkt nach der Implantation die α-Fe-Matrix, eine ungeordnete magnetische FeSi-Phase und eine ungeordnete nicht-magnetische FeSi-Phase, deren spektraler Anteil bei tieferen Temperaturen bis unterhalb von 10 K immer mehr abnimmt. Anschließend wurden die Proben bei 300^∘C, 400^∘C und 500^∘C für jeweils eine Stunde getempert. Mit zunehmender Temperatur verminderte sich der Anteil der nicht-magnetischen Phase und es bildeten sich eine geordnete D0₃- und є-FeSi-Phase. Die Tiefenverteilung der einzelnen Phasen wurde quantitativ bestimmt und mit AES-Konzentrationsprofilen korreliert. Die nicht-magnetische Phase befindet sich nahe der Oberfläche, während die magnetische Phase in den tieferen Schichten vorliegt.

Gefördert durch die Deutsche Forschungsgemeinschaft.