Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 24: Postersitzung

DS 24.36: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 15:00–19:00, PF A

Reaktionsablauf während der Festphasenreaktion von metallischen Doppelschichten mit Si(100) — •B. Gebhardt, M. Falke, S. Teichert, G. Beddies und H.-J. Hinneberg — Institut für Physik, TU Chemnitz, 09107 Chemnitz

Die Festphasenreaktion metallischer Doppelschichten mit Si(100) ist ein einfaches Verfahren zur Herstellung epitaktischer CoSi₂-Schichten. In der vorliegenden Arbeit wird der Reaktionsverlauf während einer Kurzzeittemperung untersucht. Zum Einsatz kamen DC-gesputterte Co/Hf-Schichten und elektronenstrahlverdampfte Co/Ti-Schichten. Eine Temperung der Doppelschichten führt zu einer Co-Diffusion in das Si-Substrat und einer Si-Diffusion an die Probenoberfläche. Die Zwischenschicht (Hf, Ti) steuert die auftretenden Diffusionsströme. Je nach den experimentellen Bedingungen ist nach der Temperung CoSi und/oder CoSi₂ zu beobachten. Dabei wurde festgestellt, daß sich die Bildung des epitaktischen CoSi₂ stets über die CoSi-Phase vollzieht. Die Keimbildung des epitaktischen CoSi₂ erfolgt an der Grenzfläche CoSi/Si. Damit das CoSi₂ epitaktisch wächst, sollte die Keimbildung und das weitere CoSi₂-Wachstum bei einer Temperatur von 700 ^oC bzw. bei einer höheren Temperatur stattfinden. Die Charakterisierung der Proben erfolgte mittels RBS/Channeling, TEM und XRD.