Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 24: Postersitzung
DS 24.41: Poster
Donnerstag, 26. März 1998, 15:00–19:00, PF A
Prozeßabhängigkeit der Photolumineszenzspektren von a-Si1−xCx:H Dünnschichten aus flüssigen Organosilanen — •J. Seekamp, J. Niemann und W. Bauhofer — Arbeitsbereich Materialien der Mikroelektronik, Technische Universität Hamburg-Harburg, D-21071 Hamburg
Untersuchungen der Photolumineszenz(PL)spektren von a-Si1−xCx:H-Dünnschichten aus flüssigen Organosilanen und der Ausgangsmaterialien selber zeigen unterschiedliches Verhalten in der Verschiebung der PL-Maxima mit Variation der Prozeßparameter für ähnliche Ausgangsmaterialien. In allen Flüssigkeiten zeigt sich ein PL-Maximum bei etwa 340nm. In Filmen, die aus Triethylsilan abgeschieden wurden, ist für unterschiedliche Substrattemperaturen stets ein PL-Maximum bei etwa 500nm zu beobachten. Für Filme, die aus Hexamethyldisilazan abgeschieden wurden, verschiebt sich jedoch die PL gegenüber jener der Flüssigkeit bei einer Variation der Substrattemperatur zwischen 37 oC und 100 oC von ca. 340nm nach 450nm. In diesem Beitrag werden die PL-Spektren und ihre Veränderung mit der Änderung der Struktur, ermittelt durch FTIR-Spektroskopie, verglichen und diskutiert.