Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 24: Postersitzung

DS 24.49: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 15:00–19:00, PF A

Optimierung der Reflektivität von Mo/Si-Röntgenspiegeln mittels Ionenpolieren — •I. Kolina, O. Wehmeyer, F. Hamelmann, T. Westerwalbesloh, U. Kleineberg, and U. Heinzmann — Universität Bielefeld, Molekül und Oberflächenphysik, Universitätsstrasse 25, 33615 Bielefeld

Eine der Ursachen, die zur Verringerung der Reflektivität von Mo/Si–Multilayer Röntgenspiegeln führt, ist die zunehmende Rauhigkeit der Grenzflächen durch den Schichtstapel. Mit Hilfe eines Edelgas–Ionenstrahls (z.B. Ar, Kr) aus einer HF–Ionenqulle werden die Si–Schichtoberflächen geglättet. Die Herstellung der Mo/Si–Multischicht erfolgt in einer UHV–Apparatur mittels Elektronenstrahlverdampfung. Die Schichtdicken und die Grenzflächenrauhigkeit wird mittels einer insitu–Röntgenreflektivitätsmessung kontrolliert. Die wichtigsten Parameter der Glättungsprozedur wie Ionenenergie, Einfallswinkel und Ionenart werden anhand von insitu–Kurven sowie exsitu–Reflexionsmessungen mit harter (CuKα–, λ=0.154 nm) und weicher Röntgenstrahlung (aus einer laserinduzierten Plasmalichtquelle, λ≈13 nm) optimiert.