Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 24: Postersitzung

DS 24.5: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 15:00–19:00, PF A

Strukturelle Charakt. vergrabener δ Schichten in Si (100) mit Röntgenstreuung unter streifendem Einfall — •V. Holy², U. Beck¹, R. Beikler¹, T. Salditt¹, T. Metzger¹ und J. Peisl¹ — ¹Sektion Physik der Ludwig-Maximilians-Universität München — ²Lab. of Thin Films and Nanostructures, Faculty of Science, University of Brno

Die Herstellung modernster Halbleiterbauelemente erfordert ein grundlegendes Verständnis des Kristallwachstums, sowie eine perfekte Kontrolle der Grenzflächenqualität. Als Modellsystem für beide Fragestellungen wurde eine Ge-δ-Schicht in Si(100) mit spekulärer und diffuser Reflektivität untersucht. Neben dem spekulären Strahl wurden Intensitätsmaxima bei nichtspekulären Ausfallswinkeln beobachtet. Die zugrundeliegende laterale, periodische Struktur läßt sich durch azimutale Rotation der Probe nachweisen. Die Streuintensität im gesamten zugänglichen Impulsraum zeigt, daß spekuläre und diffuse Streuung entlang qz Oszillationen mit gleicher Periode aufweisen. Die laterale Struktur kann daher nur durch kristalline Terrassenstufen hervorgerufen sein, die sowohl auf dem Substrat wie auf der Deckschicht vorhanden sind. Auf der Grundlage dieser Interpretation wurde eine Simulation des gemessenen Streubildes mit Hilfe der DWBA durchgeführt. Die statistischen Eigenschaften jeder Grenzfläche wurden durch eine 3-dimensionale Paarkorrelationsfunktion beschrieben. Dadurch läßt sich eine befriedigende Übereinstimmung mit der Messung erzielen und es können die lateralen und senkrechten Strukturparameter umfassend bestimmt werden.