Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 24: Postersitzung

DS 24.6: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 15:00–19:00, PF A

Charakterisierung von epitaxialen Si_1−xGe_x-Schichten mittels diffuser Röntgenstreuung und Röntgenbeugung unter streifendem Einfall — •Z. Kovats¹, T. Salditt¹, T.H. Metzger¹, J. Peisl¹, K. Ismail² und J.O. Chu² — ¹Sektion Physik der Ludwig-Maximilians-Universität München — ²IBM T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights

Verspannte Si_1−xGe_x Schichtsysteme bilden die Grundlage für neuartige elektronische Bauelemente auf Si-Basis. Von grundlegender Bedeutung ist dabei das Verständnis der beteiligten Relaxationmechanismen sowie deren Einfluß auf die Rauhigkeitsmorphologie. Röntgenbeugung unter streifendem Einfall erlaubt dabei das oberflächensensitive Studium der Relaxation, während mittels diffuser Streuung und spekulärer Reflektivität die Rauhigkeitsmorphologie vergrabener Grenzflächen charakterisiert werden kann. Wir zeigen Untersuchungen an pseudomorph verspannten und relaxierten Si_0.7Ge_0.3 Schichten, welche auf einem relaxierten Si_1−yGe_y Puffer mittels UHV-CVD auf (001) orientierten Substraten abgeschieden wurden. Die diffuse Streuung in der Einfallsebene zeigt eine starke Korrelation der Grenzflächenrauhigkeit auf einer lateralen Längenskala von bis zu einem µm, wobei eine Anisotropie der Rauhigkeit entlang der ⟨110⟩ und ⟨100⟩ Richtungen beobachtet wurde. Durch diffuse Streuung außerhalb der Einfallsebene konnte an einer vergrabenen Grenzfläche Rauhigkeit auf einer lateralen Längenskala von 300 Å nachgewiesen werden, welche durch die Relaxation verursacht wurde.