Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 3: Harte Schichten I
DS 3.1: Fachvortrag
Montag, 23. März 1998, 14:00–14:15, H 31
Bildung und Relaxation von kompressivem Stress in ionenstrahldeponierten ta-C Schichten — •Hans Hofsäss, Michael Sebastian, Horst Feldermann, Rainer Merk und Carsten Ronning — Fakultät für Physik, Universität Konstanz, D-78457 Konstanz
Ein hoher kompressiver Stress verschlechtert die Haftung von Beschichtungen aus tetraedrisch gebundenem amorphem Kohlenstoff (ta-C) und stellt damit ein wesentliches Problem bei deren Anwendung dar. In einigen Arbeiten wird dieser Stress mit dem Anteil sp3-gebundener Atome korreliert. Danach wären ta-C Schichten mit geringem Stress nicht realisierbar. Wir präsentieren Untersuchungen zur Bildung und Relaxation von kompressivem Stress in ta-C Schichten, hergestellt mit massenseparierter Ionenstrahldeposition. Der Stress wurde als Funktion der Ionenenergie, der Substrattemperatur und der Anlaßtemperatur untersucht. Der Stress nimmt mit zunehmender Ionenenergie rasch ab, während sich der sp3-Anteil nur wenig ändert. Für 100 eV Ionenenergie ergeben sich 80% sp3-Anteil und ca. 10 GPa Stress, für 1 keV dagegen noch 50-60% sp3-Anteil bei nur 2 GPa Stress. Duch Anlassen auf 600 oC kann der Stress um mehr als eine Größenordnung reduziert werden, ohne wesentliche Änderung des sp3-Anteils.