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DS: Dünne Schichten

DS 5: Ionenimplantation III

Montag, 23. März 1998, 16:30–17:30, H 31

	16:30	DS 5.1	Fachvortrag: Synthese von Siliziumkarbid durch Ionenmischen von Si-C Vielfachschichten — •F. Harbsmeier, M. Borowski und W. Bolse
	16:45	DS 5.2	Fachvortrag: Mo - induzierte Änderung der Kristallisation von amorphem Silizium — •S. Thoma, J.K.N. Lindner und B. Stritzker
	17:00	DS 5.3	Fachvortrag: Thermisch induzierte epitaktische Rekristallisation von Ionen-implantiertem α-Quarz — •F. Roccaforte, W. Bolse und K.P. Lieb
	17:15	DS 5.4	Fachvortrag: Ion Implantation in TiO2: Effect of the Oxidation State on the Lattice Site Occupation — •R. Fromknecht, O. Meyer, I. Khubeis, and S. Massing