Regensburg 1998 – scientific programme
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DS: Dünne Schichten
DS 7: Optische Eigenschaften I
DS 7.1: Fachvortrag
Tuesday, March 24, 1998, 11:15–11:30, H 31
Charakterisierung von dünnen BaxSr1−xTiO3 Schichten durch spektroskopische Ellipsometrie — •S. Schlamminger1,2, E. Fritsch1, G. Beitel1, W. Pamler3 und H. von Philipsborn2 — 1Siemens AG, HL MP E TF, 81739 München — 2Universität Regensburg, Fakultät Physik, 93040 Regensburg — 3Siemens AG, ZT ME 1, 81739 München
BaxSr1−xTiO3 (=BST) ist ein vielversprechendes Dielektrikum für DRAMs der neuesten Generation (Gigabit-Technologie). 15 bis 100 nm dicke, polykristalline BST Schichten wurden mit Hilfe eines MOCVD Prozesses auf mit Pt beschichteten Si-Substraten abgeschieden.
Mit einem Spektralellipsometer wurden tan (ψ) und cos (Δ) dieses Schichtsystems gemessen. Aus diesen beiden Parametern wurde der komplexe Brechungsindex der BST Schicht abgeleitet.
Im langwelligen Bereich läßt sich der Verlauf des Brechungsindex durch ein Sellmeier Modell mit einem Oszillator gut beschreiben[1]. Beide Sellmeier-Parameter ε0 (Oszillatorenergie) und S0 (Oszillatorstärke) sind mit strukturellen und morphologischen Parametern gekoppelt. Ihre Werte liegen deutlich unter den für dickere Schichten gemessenen [2] und korellieren mit der Gitterkonstanten. Letztere kann durch die Prozeßparameter beeinflußt werden.
[1] M. DiDomenico, Jr. and S.H. Wemple, J. Appl. Phys. 40, 720-734 (1969)
[2] F. Tcheliebou, et al., Thin Solid Films 299, 14-17 (1997)