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Mo, 09:30–10:45 |
H 31 |
DS 1: Ionenimplantation I |
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Mo, 11:00–12:00 |
H 31 |
DS 2: Ionenimplantation II |
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Mo, 14:00–15:00 |
H 31 |
DS 3: Harte Schichten I |
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Mo, 15:15–16:15 |
H 31 |
DS 4: Harte Schichten II |
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Mo, 16:30–17:30 |
H 31 |
DS 5: Ionenimplantation III |
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Di, 09:30–11:00 |
H 31 |
DS 6: Dünne Schichten für Sensorik und Aktuatorik I |
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Di, 11:15–12:15 |
H 31 |
DS 7: Optische Eigenschaften I |
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Di, 14:00–15:30 |
H 31 |
DS 8: Dünne Schichten für Sensorik und Aktuatorik II |
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Di, 15:45–16:30 |
H 31 |
DS 9: Optische Eigenschaften II |
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Di, 16:45–17:30 |
H 31 |
DS 10: Charakterisierungsverfahren I |
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Di, 17:45–18:30 |
H 31 |
DS 11: Charakterisierungsverfahren II |
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Di, 11:15–12:15 |
H 34 |
DS 12: Plasma- und Ionentechniken |
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Di, 15:45–16:30 |
H 34 |
DS 13: Sonstiges |
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Di, 16:45–18:00 |
H 34 |
DS 14: Magnetische Schichten |
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Di, 18:15–19:00 |
H 34 |
DS 15: Organische Schichten |
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Do, 09:30–10:15 |
H 31 |
DS 16: Multilayer I |
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Do, 10:15–10:45 |
H 31 |
DS 17: Multilayer II |
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Do, 11:00–12:30 |
H 31 |
DS 18: Metallische Schichten I |
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Do, 14:00–15:00 |
H 31 |
DS 19: Metallische Schichten II |
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Do, 15:15–16:30 |
H 31 |
DS 20: Elektrische Eigenschaften |
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Fr, 09:30–10:15 |
H 31 |
DS 21: Laserverfahren I |
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Fr, 10:15–11:00 |
H 31 |
DS 22: Laserverfahren II |
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Fr, 11:15–12:00 |
H 31 |
DS 23: Laserverfahren III |
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Do, 15:00–19:00 |
PF A |
DS 24: Postersitzung |
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