Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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DY: Dynamik und Statistische Physik

DY 17: Gläser III

DY 17.2: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 17:15–17:30, H2

Tieftemperaturverhalten amorpher SiO₂-Netzwerke — •A. Hannemann¹, C. Oligschleger², J.C. Schön¹ und M. Jansen¹ — ¹Institut für Anorganische Chemie und SFB408, Universität Bonn, Gerhard-Domagk-Str.1, D-53121 Bonn — ²Institut für Physikalische und Theoretische Chemie, Universität Bonn, Wegelerstr. 12, D-53115 Bonn und Institut für Algorithmen und Wissenschaftliches Rechnen, GMD-Forschungszentrum Informationstechnik, D-53754 St.Augustin

Wir untersuchen das Tieftemperaturverhalten amorpher Netzwerke mit Hilfe von Monte-Carlo- und Molekular-Dynamik-Verfahren am Beispiel von SiO₂. Die untersuchten Netzwerke [1] sind mit Quench-, Simulated Annealing- und NpT/NVT-MD-Simulationen bei verschiedenen Temperaturen unterhalb der Glasübergangstemperatur optimiert und relaxiert worden. Zur Energieberechnung verwenden wir ein von Vashishta et al.[2] vorgeschlagenes Potential.

Zur Charakterisierung der relaxierten Netzwerke bestimmen wir die Paarkorrelationsfunktionen, Winkelverteilungen und Ringstatistiken. Die MC- und MD-Simulationen liefern ähnliche Ergebnisse. Wir vergleichen diese Resultate mit experimentellen Daten. Weiterhin haben wir zum Vergleich analoge Untersuchungen an SiO₂-Gläsern durchgeführt, die aus der Schmelze generiert wurden.

[1] S. Wefing in Vorbereitung

[2] P. Vashishta, R.K. Kalia, J.P. Rino, and I. Ebbsjö, Phys.Rev.B 41, 12197 (1990)