Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Si/Ge

HL 10.11: Talk

Monday, March 23, 1998, 18:30–18:45, H13

Ellipsometrische Untersuchungen der Interbandübergänge in Si/Ge-MQW’s — •M. Broschwitz, K. Dettmer und J. Schoenes — Institut für Halbleiterphysik und Optik, TU Braunschweig, Mendelssohnstraße 3 D-38106 Braunschweig

An Si/Ge-Multiquantumwells wurde ellipsometrisch im Spektralbereich zwischen 1.0 und 4.5 eV die pseudodielektrische Funktion ermittelt. Hierbei zeigt sich eine starke Struktur bei ca. 3.1 eV. Zur Untersuchung dieser Struktur wurde das gemessene Spektrum numerisch zweimal abgeleitet und einer Linienformanalyse unterzogen. Die Ergebnisse zeigen, daß neben den Interbandübergängen, die vom Silizium stammen, auch der E₁-Übergang des Si/Ge-Quantentopfes nachgewiesen werden kann. Die Verspannung der Wells führt neben einer energetischen Verschiebung dieses Peaks dazu, daß der E₁ + Δ₁-Übergang der Si/Ge-Schicht dem E₀′-Übergang des Si überlagert ist. Letzterer liegt bei ca. 3.28 eV. Aus der energetischen Lage des E₁-Übergangs im SiGe-Quantentopf kann sehr genau die Ge-Konzentration im Well ermittelt werden. Es wird gezeigt, daß diese unabhängige Methode der Ge-Anteilsermittlung die Auswertung von Röntgenfeinstrukturdaten auf die mittleren Einzeldicken der Barrieren und Wells ermöglichen.