Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Si/Ge

HL 10.14: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 19:15–19:30, H13

Surfactant modifizierte Heteroepitaxy von Germanium auf
Silizium: Elektrische Charakterisierung — •M. Kammler¹, D. Reinking¹, K.R. Hofmann¹ und M. Horn-von Hoegen² — ¹Inst. für Halbleitertechnologie, Universität Hannover — ²Inst. für Festkörperphysik, Universität Hannover

Die Surfactant modifizierte Epitaxy (SME) erlaubt das Wachstum von quasi defektfreien relaxierten Ge-Filmen auf Si(111). Die 4 % Gitterfehlanpassung erfolgt durch ein in der Grenzfläche liegendes periodisches Versetzungsnetzwerk. In der Vergangenheit haben wir demonstriert, daß mit zunehmender Wachstumstemperatur die Dotierung des Ge-Films duch den Surfactant (hier Sb) um bis zu drei Größenordnungen sinkt. Hall Messungen an diesen Ge-Filmen zeigen Elektron Beweglichkeiten von bis zu 3100 cm²/Vs bei RT und 12300 cm²/Vs bei 77 K.

Neben neuen Ergebnissen aus elektrischen Messungen an den Ge-Filmen werden Untersuchungen zum Surfactant modifizierten Wachstum von Silizium auf den mittels SME gewachsenen Ge-Filmen vorgestellt und erste Bauelementeanwendungen basierend auf den Si/Ge/Si(111) Schichten diskutiert.