Regensburg 1998 – scientific programme
Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
HL: Halbleiterphysik
HL 10: Si/Ge
HL 10.5: Talk
Monday, March 23, 1998, 17:00–17:15, H13
Relaxation von SiGe/Si-Heterostukturen durch H+-Implantation — •R. Liedtke, B. Holländer und S. Mantl — Institut fr Schicht- u .Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich
Eine Reduzierung der Versetzungsdichte in relaxierten SiGe/Si Heterostrukturen wurde durch Wasserstoff-Implantation erreicht. Bei der thermisch aktivierten Relaxation verspannter, einkristalliner SiGe-Schichten auf <100>-Si-Substraten entstehen threading-Versetzungen, die von dem Heterointerface bis zur Probenoberfläche verlaufen. Mit He-Channeling wurden Versetzungsdichten von 109cm−2 an relaxierten SiGe/Si Heterostrukturen gemessen. Wird Wasserstoff in eine bestehende Heterostruktur mit geeigneter Dosis und Energie implantiert, so entsteht hinter dem Heterointerface eine wasserstoffhaltige und defektreiche Schicht im Si-Substrat, ohne Gitterdefekte in der SiGe-Schicht zu erzeugen. Die auf diese Weise produzierten Defekte dienen als Nukleationsquellen für Gitterfehlanpassungs- Versetzungen in der Heterogrenzfläche, welche für die Relaxation einer pseudomorph gewachsenen SiGe-Schicht notwendig sind. Durch diesen Prozeß wurde die Versetzungsdichte in der relaxierten SiGe-Schicht um mehrere Größenordnungen reduziert.