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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Si/Ge

HL 10.6: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 17:15–17:30, H13

Bestimmung von Ge-Gehalt und Relaxation in SiGe Epitaxieschichten — •K.F. Dombrowski¹, B. Dietrich¹, P. Zaumseil¹ und J. Kräußlich² — ¹Institut für Halbleiterphysik, Walter-Korsing-Str. 2, 15230 Frankfurt(Oder) — ²Friedrich Schiller Universität Jena, Max-Wien Platz 1, 07743 Jena

Wir untersuchen SiGe Mischkristalle mit einem Ge-Gehalt von 0% bis 20% mittels Raman Spektroskopie. Das Si-Phonon bei 520cm⁻¹ zeigt mit wachsendem Ge-Gehalt eine größere Verschiebung in Czochralski bulk-Material als in pseudomorph verspannten MBE Schichten. Aus diesen Verschiebungen lassen sich Aussagen über die Phononendeformationspotentiale und die Elastizitätskonstanten machen. Zusammen mit Röntgenmessungen bietet die Raman-Streuung eine einfache, zerstörungsfreie und schnelle Methode, um den Ge-Gehalt und die Relaxation im technologisch interessanten Bereich bis 30% zu bestimmen.