Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Si/Ge

HL 10.7: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 17:30–17:45, H13

Thermodonatoren in siliziumreichen SiGe-Kristallen — •M. Franz¹, P. Gaworzewski¹, K. Pressel¹ und E. Hild² — ¹Institut für Halbleiterphysik, Walter-Korsing-Str. 2, 15230 Frankfurt(Oder) — ²Dept. of Chemical Physics, Technical University Budapest, H-1521 Budapest

Die Bildung thermischer Donatoren durch Tempern bei etwa 450^oC wurde in sauerstoffreichen Siliziumkristallen intensiv untersucht. Im vorliegenden Beitrag werden Untersuchungen der thermischen Donatoren in siliziumreichen SiGe-Kristallen vorgestellt. Wie bereits aus der Literatur bekannt ist, wird die Bildung thermischer Donatoren schon durch den Einbau von geringen Konzentrationen der Gruppe IV Elemente (C, Ge) unterdrückt. Mit Hilfe von Hall-Messungen und Infrarotspektroskopie können wir die typische Bildung von Doppeldonatoren durch geeignet langes Tempern bei etwa 450^oC auch in siliziumreichen SiGe (bis 5% Ge) nachweisen. Die Ionisationsenergien dieser Donatoren stimmen mit denen der thermischen Donatoren in reinem Silizium überein. Aufgrund von Legierungseffekten sind die in reinem Silizium sonst scharfen Linien verbreitert. Die Verschiebung der Bänder mit längerer Temperung und eine entsprechende Verschiebung der Ionisationsenergie in den Hall-Messungen zeigt die Bildung flacherer Donatoren.