Regensburg 1998 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 10: Si/Ge
HL 10.8: Talk
Monday, March 23, 1998, 17:45–18:00, H13
Legierungseffekte in Bor-dotierten Si-reichen SiGe Volumenkristallen — •M. Franz, P. Gaworzewski und K. Pressel — Institut für Halbleiterphysik, Walter-Korsing-Str. 2, 15230 Frankfurt(Oder)
Wir untersuchten Bor dotierte SiGe-Volumenkristalle mit Photolumineszenz, Photoleitung und temperaturabhängigem Hall-Effekt. Aus den Halleffektdaten können wir die Beziehung Ei = (44.4 - 108.0 x) meV für die Änderung der Ionisationsenergie Ei des Bor in Abhängigkeit von der Germaniumkonzentration bestimmen. Eine sorgfältige Bestimmung der Germaniumkonzentration zeigt, daß die Photoionisationsschwellen wesentlich geringer verschieben als es bisher in der Literatur berichtet wurde. Übergänge, die angeregte Zustände des flachen Akzeptors Bor beinhalten, sind als Rotverschiebung der Ionisationsschwelle bei steigender Temperatur erkennbar. Ein Vergleich der Hall-Effekt-Daten mit der Verschiebung der Photostromspektren zeigt einen experimentellen Hinweis auf eine inhomogene Germaniumverteilung. Diese Beobachtung wird durch die Analyse der Halbwertsbreite der bandkantennahen Photolumineszenz unterstützt.