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16:00 |
HL 10.1 |
Photolumineszenzuntersuchungen an Si/Si1−x−yGexCy Mehrfach-Quantentöpfen — •O. G. Schmidt und K. Eberl
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16:15 |
HL 10.2 |
Messung und Modellierung der spektralen Empfindlichkeit von Si-Photodioden im Spektralbereich von 120 nm bis 400 nm — •Peter Kuschnerus, Hans Rabus und Mathias Richter
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16:30 |
HL 10.3 |
Koinzidenzmessungen an Si/SiGe Heterostrukturen — •H.W. Schumacher, A. Nauen, U. Zeitler, P. Weitz, R.J. Haug, A.G.M. Jansen und F. Schäffler
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16:45 |
HL 10.4 |
Photolumineszenz an verspannungsreduzierten SiGeC-Heterostrukturen — •R. Hartmann, D. Grützmacher, U. Gennser und E. Müller
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17:00 |
HL 10.5 |
Relaxation von SiGe/Si-Heterostukturen durch H+-Implantation — •R. Liedtke, B. Holländer und S. Mantl
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17:15 |
HL 10.6 |
Bestimmung von Ge-Gehalt und Relaxation in SiGe Epitaxieschichten — •K.F. Dombrowski, B. Dietrich, P. Zaumseil und J. Kräußlich
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17:30 |
HL 10.7 |
Thermodonatoren in siliziumreichen SiGe-Kristallen — •M. Franz, P. Gaworzewski, K. Pressel und E. Hild
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17:45 |
HL 10.8 |
Legierungseffekte in Bor-dotierten Si-reichen SiGe Volumenkristallen — •M. Franz, P. Gaworzewski und K. Pressel
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18:00 |
HL 10.9 |
Die Bestimmung der minimalen Schichtdicke von Si-Ge-Filmen, die für das Entstehen eines ”Electron Channeling Pattern” notwendig ist — •M. Grimm, R. Butz und D. Guggi
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18:15 |
HL 10.10 |
Untersuchung der plastischen Relaxation in Si1−xGex/Si Heterostrukturen — •S. Wickenhäuser, L. Vescan, K. Schmidt, B. Holländer und H. Lüth
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18:30 |
HL 10.11 |
Ellipsometrische Untersuchungen der Interbandübergänge in Si/Ge-MQW’s — •M. Broschwitz, K. Dettmer und J. Schoenes
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18:45 |
HL 10.12 |
Einfluß von Sauerstoff auf den Gitterplatz und das Lumineszenzverhalten von seltenen Erden in Silizium — •M. Dalmer, U. Vetter, M. Restle, C. Ronning, A. Stötzler, U. Wahl und H. Hofsäss
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19:00 |
HL 10.13 |
Maßgeschneiderte Germanium-Quantenpunkte durch Nukleation auf C/Si(001) — •O. Leifeld, D. Grützmacher, B. Müller und K. Kern
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19:15 |
HL 10.14 |
Surfactant modifizierte Heteroepitaxy von Germanium auf
Silizium: Elektrische Charakterisierung — •M. Kammler, D. Reinking, K.R. Hofmann und M. Horn-von Hoegen
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