Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Quantenpunkte I

HL 11.13: Talk

Monday, March 23, 1998, 19:00–19:15, H1

Optisch angeregte Ladungsspeicherung in selbstorganisierten InAs–Quantenpunkten — •M. Skalitz, M. Arzberger, J. J. Finley, A. Zrenner, G. Böhm und G. Abstreiter — Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, D-85748 Garching

Wegen ihrer inhomogen verbreiterten Absoption eignen sich selbstorganisierte InAs–Quantumdots (QD) für optische Speicherung mittels persistentem spektralem Lochbrennen. Wir haben solche QDs in einen vertikalen Hetero–pin–Übergang eingebettet und mit einem modulationsdotierten lateralen 2D–Elektronenkanal überwachsen.
Aus Photolumineszenzmessungen wurde die inhomogene Verbreiterung der Lumineszenz bzw. QD–Absorption bestimmt. Durch spektral selektive Beleuchtung innerhalb der Absorptionsbande der QDs können die unteren Niveaus besetzt werden. Aufgrund des vertikalen Feldes der pin–Diode und einer zusätzlichen asymmetrischen Barriere wird erreicht, daß die Löcher aus den QDs tunneln und die Elektronen in den QDs zurückbleiben. Die so gespeicherte Ladung kann sehr empfindlich durch den lateralen 2D–Kanal nachgewiesen werden. Wir konnten eine persistente Erhöhung des Widerstands bis zu Temperaturen von 200 K beobachten, um bis zu 70% bei 5 K. Bei Anregung unterhalb der Grundzustände der QDs und auch bei der Referenzprobe ohne QDs ist der Effekt deutlich geringer. Zusätzlich wurden Magnetotransportmessungen mit wellenlängenselektiver Beleuchtung durchgeführt.