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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Quantenpunkte I

HL 11.14: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 19:15–19:30, H1

Nanostrukturierung von III-V-Halbleitern mit Hilfe einer neuen Maskentechnik auf Basis von metallhaltigen Zweiblock-Co-
polymeren — •Th. Herzog¹, P. Ziemann¹, J. Spatz², S. Mößmer², M. Möller², J.M. Schneider³, K. Bitzer³ und H. Heinecke³ — ¹Abt. Festkörperphysik — ²Abt. Organische Chemie III — ³Abt. Halbleiterphysik, Universität Ulm, 89069 Ulm

Mit Hilfe des Zweiblock-Copolymers Polystyrol-Poly-2-Vinylpyridin (PS-P2VP) wurden Nanostrukturen auf III-V-Halbleitersschichten realisiert. PS-P2VP bildet Mizellen mit einer Hülle aus PS und einem Kern aus P2VP, welcher mit Au-Salz beladen werden kann. Es zeigt sich, daß die so präparierten verschiedenen Polymerbereiche unterschiedliche Sputterkoeffizienten beim Bestrahlen mit Ar⁺- Ionen (1 keV) aufweisen. Dieser Ionenätzkontrast läßt sich zur Nanostrukturierung ausnutzen. So konnten Säulenstrukturen von wenigen Nanometern mit Strukturtiefen von 10-20nm erzielt werden. Durch Manipulation des Polymerkerns ist es auch möglich eine Kontrastumkehr zu erzeugen. Damit konnten Löcher von etwa 10nm Durchmesser und einer Tiefe von bis zu 15nm in GaAs hergestellt werden mit kontrollierbaren Abständen zwischen 70 und 140nm. In ersten Experimenten am System GaAs/InGaAs/GaAs gibt es erste Indikatoren auf das Entstehen von Quantendots. An den Proben wurden PL-Messungen durchgeführt.