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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Quantenpunkte I

HL 11.1: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 16:00–16:15, H1

Analyse freistehender und vergrabener Lateralstrukturen mit Hilfe der Röntgenbeugung unter streifendem Einfall (GID) — •N. Darowski¹, U. Pietsch¹, K.–H. Wang², A. Forchel² und T. Baumbach³ — ¹Institut für Physik, Universität Potsdam — ²Institut für Technische Physik, Universität Würzburg — ³ESRF

Zur Erzeugung neuer elektronischer Eigenschaften bei Halbleiterbauelementen gewinnt das “strain engineering” neben dem elektronischen und geometrischen quantum confinement zunehmend an Bedeutung. Aus diesem Grund untersuchten wir GaAs/GaInAs/GaAs–Quantengraben–Strukturen, die mittels MBE auf einem GaAs [001]–Substrat abgeschieden wurden. Nachfolgend wurde eine laterale Oberflächenstruktur photolithographisch erzeugt. Die geometrische Form der Streuer und das induzierte Verzerrungsfeld des SQW bzw. des umgebenden Materials wurden mittels einer hochauflösenden Dreikristall–Anordung in GID–Geometrie vor und nach dem Überwachsen der Oberflächenstruktur mit einer GaAs–Deckschicht analysiert. Durch Veränderung des Einfallswinkels des Röntgenstrahls zur Probenoberfläche kann die Eindringtiefe der Strahlung zwischen einigen wenigen und mehreren hundert Nanometern variiert und damit der Verlauf des Verzerrungsprofils tiefenaufgelöst untersucht werden. So konnten wir an einer überwachsenen Probe für sehr geringe Eindringtiefen Intensitätsoszillation nachweisen, die auf ein periodisches Verzerrungsfeld in der Deckschicht zurückzuführen sind, daß dieselbe Periode wie die geätzte Lateralstruktur aufweist.