Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Quantenpunkte I

HL 11.2: Talk

Monday, March 23, 1998, 16:15–16:30, H1

Intensive Photolumineszenz nahe 1.3 µ m von kleinen C-induzierten Ge-Quantenpunkten — •S. Schieker¹, O. G. Schmidt¹, C. Lange¹, N. Y. Jin-Phillipp², F. Phillipp², J. Auerswald³, P. Lamperter³ und K. Eberl¹ — ¹Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstr. 1, 70569 Stuttgart — ²Max-Planck-Institut für Metallforschung, Heisenbergstr. 1, 70569 Stuttgart — ³Max-Planck-Institut für Metallforschung, Seestr. 92, 70174 Stuttgart

Intensive no-Phonon(NP)-Photolumineszenz nahe 1.3 µ m wurde von einer 50-fach gestapelten Struktur von kleinen kohlenstoffinduzierten Germanium-Quantenpunkten (CGe-Quantenpunkten) gemessen. Die CGe-Quantenpunkte haben typische Durchmesser von etwa 10 nm und eine Höhe von 1-2 nm, bei einer Dichte von 1 × 10¹¹ cm⁻². In Transmissions Elektron Mikroskopie-Aufnahmen sind keine Versetzungen in den 50 CGe-Quantenpunkt-Schichten zu erkennen. Röntgenbeugungsmessungen zeigen eine fast vollständige Verspannungskompensation. Die CGe-Quantenpunkt-Schichten wurden in einer Feststoffquellen Molekularstrahlepitaxieanlage mit 0.2 Monolagen (ML) Kohlenstoff, 2.4 ML Germanium und 9.6 nm Silizium-Zwischenschicht auf Silizium-Substraten gewachsen. Systematische Photolumineszenz- und Tempermessungen wurden an den Proben durchgeführt. Die intensive NP-Photolumineszenz macht die Struktur besonders für optoelektronische Anwendungen interessant.