Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Quantenpunkte I

HL 11.6: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 17:15–17:30, H1

MBE Wachstum von CdSe Quantenpunkten — •K. Leonardi¹, H. Selke², K. Ohkawa¹, D. Hommel¹, T. Kümmel³, G. Bacher³ und A. Forchel³ — ¹Universität Bremen, Institut für Festkörperphysik, Kufsteiner Str. NW1, 28359 Bremen — ²Universität Bremen, Institut für Wekstoffphysik und Strukturforschung, Kufsteiner Str. NW1, 28359 Bremen — ³Universität Würzburg, Technische Physik, Am Hubland, 97074 Würzburg

Das System CdSe/ZnSe ist mit einer Gitterfehlanpassung von 7% ein aussichtsreicher Kandidat für das Wachstum von Quantenpunkten aufgrund des Stranski-Krastanow Wachstumsmodus. Um die Oberflächendiffusion der Adatome zu kontrollieren, wurde CdSe mittels migration enhanced epitaxy gewachsen. Mit RHEED kann in situ der Übergang vom zwei- zum dreidimensionalen Wachstumsmodus beobachtet werden. Mittels Transmissionelektronenmikroskopie konnte ebenfalls der Übergang von glatten Quantentrögen zu einem dreidimensionalen Wachstum nachgewiesen werden. DALI (Digital Analysis of Lattice Images) Auswertungen zeigen, daß der Verspannungsabbau auch mittels Cd Diffusion erfolgt. In Photolumineszenz (PL) wird eine deutliche Verbreiterung der Emissionslinien für den Fall dreidimensionaler CdSe-Strukturen beobachtet, was auf eine inhomogene Größenverteilung der Quantenpunkte zurückgeführt wird. PL von naßchemisch geätzten Mesen mit Kantenlängen kleiner 100 nm zeigt mehrere sehr scharfe Linien, die der Emission aus einzelnen CdSe Quantenpunkten zugeschrieben werden.