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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Quantenpunkte I

HL 11.8: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 17:45–18:00, H1

Form und Relaxation von selbstorganisierten kohärenten InAs Quantenpunkten auf GaAs(100) — •I. Kegel, H. Metzger, P. Fratzl, J. Peisl, A. Lorke und J. P. Kotthaus — Sektion Pkysik, Ludwig-Maximilians-Universität München, Geschw.-Scholl-Platz 1, 80539 München

Form und Spannung von selbstorganisierten Quantendots bestimmen deren Wachstum und Bandstruktur wesentlich . InAs Inseln auf GaAs (100) wurden mit Hilfe einer neuen Anwendung der Beugung von Röntgenstrahlen unter streifendem Einfall untersucht. Aufgrund des defektfreien Inselwachstums können spannungs- und forminduzierte Streubeiträge eindeutig voneinander getrennt werden. Am Fus der Inseln ist das Gitter maximal verspannt, an der Spitze vollständig relaxiert. Der Radius der isotropen Quantendots in einer bestimmten Höhe hängt linear von der lokalen Verspannung ab. Der Relaxationsgradient ändert sich mit der Höhe im Dot und nimmt bei Annäherung an die Dotspitze rasch zu. Bei teilweise überwachsenen InAs Inseln finden wir einen konischen Krater in der Mitte der jetzt anisotropen Inselform, dessen Gröse wieder von der Relaxation abhängt. Unsere Ergebnisse sind für das Verständnis noch ungeklärter Wachstumsmechanismen und den Zusammenhang zwischen Spannung und Bandstrukturänderungen von versetzungsfreien Quantenpunkten wichtig.