Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Bauelemente II

HL 14.5: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 11:30–11:45, H17

Einflu"s des Germanium- und Dotierungsprofils auf die Hochfrequenzeigenschaften von SiGe-HBT — •D. Nuernbergk¹, H. Mau², M. Ro"sberg¹, F. Schwierz¹, and G. Paasch^1,3 — ¹Institut f"ur Festk"orperelektronik, Technische Universit"at Ilmenau, PF 100565, D-98684 Ilmenau — ²Silvaco International, Santa Clara, CA — ³Institut f"ur Festk"orper- und Werkstofforschung Dresden, P.O.B., D-01171 Dresden

Die dynamischen Eigenschaften von SiGe-HBT mit unterschiedlichen Germanium- und Dotierungsprofilen wurden mit dem Drift-Diffusionsmodell bzw. mit demi Energietransportmodell untersucht. Auf der Basis dieser Bauelementsimulationen werden eine hinsichtlich der maximalen Transitfrequenz optimale Transistorgestaltung abgeleitet und die G"ultigkeitsgrenzen des Drift-Diffusionsmodells diskutiert. Ein Maximum der Transitfrequenz erh"alt man bei Basisschichtdicken > 20nm mit einem trapezf"ormigen Germaniumprofil in der Basis. Bei Basisschichtdicken unter 20nm ist hingegen ein rechteckiges Germaniumprofil g"unstiger. Trotz der geringen Schichtdicken der untersuchten Bauelemente zeigen die Simulationen mit dem Drift-Diffusionsmodell "ahnliche Ergebnisse wie die Simulationen mit dem Energietransportmodell. Bei Schichtdicken unter 20nm gibt es jedoch st"arkere Abweichungen zwischen beiden Modellen. Auch die tendenziellen Aussagen der Simulationen mit dem Drift-Diffusionsmodell beginnen dann gr"o"sere Unsicherheiten aufzuweisen. Die Arbeiten werden gef"ordert durch das BMBF.