Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 14: Bauelemente II
HL 14.7: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 12:00–12:15, H17
Vertikale Kurzkanal-MOSFETs auf der Basis selektiver Epitaxie — •A. Tönnesmann, J. Moers, D. Klaes, L. Vescan, M. Marso und H. Lüth — Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich
Am Institut werden vertikal aufgebaute Si-MOSFETs prozessiert, deren Kanallänge durch die Dicke einer epitaktisch gewachsenen Schicht definiert und somit nicht durch ein lithographisches Auflösungsvermögen bestimmt wird. So lassen sich die Kanallängen bis in den Sub-100nm-Bereich reduzieren, während die optische Lithographie zur Definition lateraler Strukturen weiterhin Anwendung findet. Gleichzeitig wird eine Erhöhung der Integrationsdichte erwartet. Das realisierte Transistorlayout und die bei der Prozessierung auftretenden technologischen Probleme werden vorgestellt und diskutiert. Erste p-Kanal-Transistoren mit einer Kanallänge von 130nm und 12nm Gateoxid zeigten eine Steilheit von 100mS/mm bei einer Schwellspannung von -2,7V. Erhöhte Zuleitungswiderstände und größere Millerkapazitäten limitieren die Hochfrequenzeigenschaften des ersten Layouts. Hochfrequenzmessungen an diesen Transistoren ergaben Grenzfrequenzen von fT = 2,3GHz und fmax = 1,1GHz.