Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 14: Bauelemente II
HL 14.8: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 12:15–12:30, H17
Entwicklung eines neuartigen optoelektrischen Empfängers für OEIC bei 0.8µm Wellenlänge — •F. Dillmann1, A. Brennemann2, M. Marso1, H. Hardtdegen1, P. Kordoš1, H. Lüth1 und F.J. Tegude2 — 1Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich — 2Fachbereich 9/HLT, Uni/GH Duisburg, D-47048 Duisburg
Für die optoelektronische Datenübertragung stellt das Empfänger-Frontend ein zentrales Bauelement dar. Wir haben zum ersten Mal eine Integration aus einer GaAs PIN-Photodiode und einem vertikalen Transistor, einem sogenannten Permeable Junction Base Transistor (PJBT) realisiert. Für beide Bauelemente wird der gleiche Schichtaufbau, der aus einer Folge von n-i-p-i-n dotiertem GaAs besteht, verwendet. Es werden optische und elektrische Gleichstrom- und Hochfrequenzmeßergebnisse an Photodioden und Transistoren vorgestellt. Die Pulsantwort von optimierten Dioden zeigen eine Halbwertsbreite von 10ps bei einer aktiven Fläche von 900µm2. Die Transistoren weisen ein gutes Gleichstromverhalten auf. Die Hochfrequenzeigenschaften sind dagegen noch zu verbessern. Perspektiven zur Optimierung werden erläutert. Die ersten integrierten Verstärker zeigen eine gute Gleichstromverstärkung. Messungen mit einer hochfrequenzmodulierten Laserdiode ergeben, daß dieses Bauelement für den Einsatz bei Bitraten ≥ 1Gbit/s geeignet ist.