Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 15: Störstellen

HL 15.1: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 10:30–10:45, H13

Kapazitätsdetektierte Magnetische Resonanz (CDMR)
— •R. Neuberger, M. S. Brandt und M. Stutzmann — Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall , D-85748 Garching

Optisch bzw. elektrisch detektierte magnetische Resonanz besitzt gegenüber der herkömmlichen Elektronenspinresonanz eine wesentlich höhere Nachweisempfindlichkeit und eignet sich deshalb besonders, um Heterostrukturen und Bauelemente auf Defekte zu untersuchen. Eine weitere Variante der Spinresonanz besteht in der Messung der Kapazität einer Bauelementestruktur unter magnetischer Resonanz (capacitance detected magnetic resonance CDMR). In ersten Messungen wurden die Photokapazität von a-Si:H Solarzellen und c-Si Schottky-Dioden(Pt) untersucht. Die Solarzellen zeigen bei 200K das auch aus EDMR Messungen des Photostromes bekannte e-db-Signal der Rekombinationsströme an ungesättigten Bindungen (resonante Kapazitätsänderung Δ C/C=10⁻⁵). Die Schottky Dioden zeigen bei 4K zwei unterschiedliche Signale bei g=2.00241 und g=2.00619, deren relative Intensität auch durch unterschiedliche reverse-bias Spannungen variiert werden kann. Dieses Ergebnis zeigt, daß CDMR spektral aufgelöste Tiefenprofile der Defektverteilung liefern kann.