Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 15: Störstellen

HL 15.2: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 10:45–11:00, H13

Berechnungen der elektronischen Struktur und Hyperfeineigenschaften von Defekten in CdTe — •A. Settels, T. Korhonen, N. Papanikolaou, R. Zeller, and P.H Dederichs — Institut f"ur Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich

Wir pr"asentieren Dichtefunktional-Rechnungen zur elektronischen
Struktur und zu Hyperfeineigenschaften von St"orstellen in CdTe. Von zentralem Interesse ist die Berechnung des elektrischen Feldgradienten von Akzeptor-Donator Komplexen bestehend aus den Akzeptoren P, As, Sb auf einem Te Platz und dem Donator In auf einem benachbarten Cd Platz. Da ¹¹¹In in ¹¹¹Cd zerf"allt, mi"st man in PAC-Experimenten den EFG, der von einer isolierten Akzeptorst"orstelle auf einem benachbarten Cd-Wirtsplatz induziert wird. Wir berechnen daher unter Ausnutzung der T_d-Symmetrie die elektronische Struktur von P, As und Sb Akzeptoren, wobei insbesondere der Einflu"s der Gitterrelaxationen auf die elektronische Struktur und den elektrischen Feldgradienten diskutiert wird. Die Rechnungen verwenden die lokale Dichten"aherung f"ur Austausch und Korrelation sowie die Korringa-Kohn-Rostoker Greensche Funktionsmethode f"ur Punktdefekte. Insbesondere wird die volle Anisotropie des Potentials und die exakte Struktur der Wigner-Seitz-Zelle in den Rechnungen ber"ucksichtigt. Somit erlaubt dieser Formalismus einerseits die genaue Berechnung der Kr"afte "uber das ionische Hellmann-Feynman-Theorem und andererseits die Ber"ucksichtigung von Gitterrelaxationen.