Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 15: Störstellen

HL 15.4: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 11:15–11:30, H13

Optisch Detektierte Magnetische Resonanz an Ga¹⁴N und Ga¹⁵N — •M.W. Bayerl, M.S. Brandt, H. Angerer und M. Stutzmann — Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall, D-85748 Garching

Die mikroskopischen Ursachen der dominanten intrinsischen Defekte in GaN, dem Effektiv-Masse-Donator und dem tiefen Defekt, der für die gelbe Lumineszenz verantwortlich ist, sind noch nicht eindeutig identifiziert. Theoretische Untersuchungen deuten auf die Ga Leerstelle als Ursprung für den tiefen Defekt hin. In GaAs und GaP konnte die Gallium-Leerstelle ausführlich mit Spinresonanzmethoden untersucht werden. Insbesondere erlaubte die Beobachtung der charakteristischen Hyperfeinaufspaltung der Resonanzsignaturen die mikroskopische Identifikation des Defektes in diesen Materialien. Für den tiefen Defekt in GaN beobachtet man nur eine einzige Resonanzlinie, eine Hyperfeinaufspaltung kann vermutlich wegen der großen individuellen Linienbreiten nicht aufgelöst werden. Ausgehend von den Defektparametern in GaAs und GaP sollte die Hyperfeinwechselwirkung jedoch Einfluß auf die Gesamtlinienbreite der Gallium-Leerstelle in GaN haben. Dieses Modell wird diskutiert und mit den Ergebnissen von optisch detektierten magnetischen Resonanzmessungen (ODMR) an Ga¹⁴N und Ga¹⁵N verglichen.