Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 15: Störstellen
HL 15.6: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 11:45–12:00, H13
Diffusionsverhalten und Elektronische Eigenschaften von Beryllium in Silicium — •C. Borgmann1, H. Schroth2, H. Bracht1, S. Voß1 und H. Mehrer1 — 1Institut für Metallforschung, Universität Münster, Wilh.-Klemm-Straße 10, D-48149 Münster — 21. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, D-70550 Stuttgart
Wir berichten über erste Diffusionsexperimente von Be in Si, die in geschlossenen Quarzampullen in einem Temperaturbereich von 930–1180 ∘C durchgeführt wurden. Nach der Diffusionsglühung wurden Widerstands-Weg-Profile mit Hilfe der Spreading-Resistance-Analyse (SRA) gemessen. Die durch Be in Silicium erzeugten Störstellenniveaus von Akzeptorcharakter wurden mittels Deep-Level-Transient-Spectroscopy (DLTS) bestimmt. Ionisierungsenthalpien von EA1=190 meV und EA2=330 meV oberhalb der Valenzbandkante konnten nachgewiesen werden. Ausgehend von den ermittelten Störstellendaten wurden die mit SRA gemessen Widerstands-Weg-Profile in Konzentrations-Weg-Profile umgerechnet. Die beobachtete langreichweitige Diffusion von Be in Si und der bevorzugte substitutionelle Einbau wird auf der Grundlage interstitiell substitutioneller Austauschmechanismen beschrieben. Zusätzliche Untersuchungen mit Infrared-Spectroscopy und Electric-Dipole-Spin-Resonance bestätigen den substitutionellen Einbau von Be und geben weitere Hinweise über die Natur der Be-korrelierten Störstelle mit trigonaler Symmetrie, die vielfach in der Literatur diskutiert wurde.