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HL: Halbleiterphysik

HL 16: GaN I

HL 16.10: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 12:45–13:00, H15

Direkte Beobachtung von Nanoclustern in MBE-InGaN mittels hoch-ortsaufgelöster Kathodolumineszenz–Mikroskopie — •F. Bertram¹, M. Schmidt¹, T. Riemann¹, J. Christen¹, T. Boettcher², S. Einfeldt² und D. Hommel² — ¹Inst. f. Exp. Physik, Otto-von-Guericke Universität Magdeburg, Uni-Pl. 5, 39106 Madeburg — ²Inst. f. Festkörperphysik, Universität Bremen, PSF 330 440, 28334 Bremen

Mittels MBE wurden unterschiedliche InGaN–Schichten über einer 30nm dicken GaN–Puffer auf Saphir aufgewachsen. Es wurden zwei Probentypen untersucht. Die erste Probe besteht aus einer 1µ m dicken InGaN-Schicht. Bei der zweiten Probe handelt es sich um eine quasi ternäre Legierung, d.h. ein Supergitter aus einzelnen Monolagen von GaN und InGaN. Die mittlere In–Konzentration wurde mit HRXRD bestimmt und ist für beide Proben identisch 4.5%. Beide InGaN-Schichten wurden mit hoch-ortsaufgelöster Kalodolumineszenzmikroskopie (Ortsauflösung besser als 40nm) untersucht und verglichen. Die laterale Inhomogenität der In–Konzentration kann durch ein Mapping der Emissionswellenlänge (CLWI) [1] direkt dargestellt werden. Die Lumineszenz zeigt einzelne diskrete Linien, die sehr stark örtlich lokalisiet sind und Nanocluster unterschiedlicher In–Konzentration widerspiegeln. Die CLWI–Ergebnisse werden mit der im SEM bestimmten Morphologie der Probenoberfläche korreliert und mit AFM–Untersuchungen verglichen. Das Temperatur– und Zeitverhaltenverhalten der Kathodolumineszenz wird im Detail diskutiert. [1] J. Christen et al.: J. Vac. Sci. Technol. B9, 2358 (1991)