Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 16: GaN I
HL 16.1: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 10:30–10:45, H15
Optische Verstärkung in kubischen GaN Epischichten — •J. Holst1, L. Eckey1, A. Hoffmann1, I. Broser1, B. Schöttker2, D.J. As2, D. Schikora2 und K. Lischka2 — 1Institut für Festkörperphysik, Sekr. PN 5-3 TU Berlin, 10623 Berlin — 2Universität Paderborn, FB-6 Physik, 33095 Paderborn
Um Aussagen über die potentielle Nutzung von kubischem GaN auf GaAs für Anwendungen in der Optoelektronik zu machen, wurden zeitintegrierte und zeitaufgelöste Photolumineszenz-, und Messungen der optischen Verstärkung an von MBE gewachsenen, Epischichten bei 2K und 300 K durchgeführt. Intensitätsabhängige Gainspektren erlauben die Identifizierung der beteiligten Verstärkungsprozesse, zu denen der Biexzitonenzerfall und das Elektron-Loch-Plasma gehören. Gainwerte von bis zu 210cm−1 zeigen die potentielle Eignung dieses Materialsystems für Anwendungen in der Optoelektronik. Weiterhin wurden Untersuchungen an Proben mit Kavitäten von 550,400 und 250 µm Länge durchgeführt. In diesen Proben zeigen sich deutliche höhere Gainwerte bei gleichzeitiger Verringerung der Schwellintensitäten für die optische Verstärkung. Dieser Einfluss der Probengeometrie auf Gewinn und Verlustmechanismen in kubischem GaN wird diskutiert.