Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 16: GaN I

HL 16.3: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 11:00–11:15, H15

Perspektiven für GaN-basierende Heterostruktur-Bauelemente — •F. Compagnone, G. Zandler, J. A. Majewsky, M. Städele, R. Oberhuber und P. Vogl — Physik-Department und Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall, D-85748 Garching

III-V-Nitride lassen aufgrund ihrer einzigartigen Materialeigenschaften - nämlich große Bandlücke, hohe Hetero-Offsets , große energetische Separation der Satellitentäler des Leitungsbandes, sowie hohe optische Phononenergien - hervorragende Charakteristiken von Hochfrequenz-Heterostrukturbauelementen für Leistungsanwendungen erwarten. Zur quantitativen Bestimmung des Potentials dieser Materialfamilie haben wir, basierend auf ab-initio Berechnungen der Bandparameter, detaillierte selbstkonsistente Monte-Carlo Rechnungen für verschiedene MODFET-Geometrien durchgeführt. Diese Rechnungen sagen Transitzeit-Frequenzen bis zu 300 GHz - resultierend aus den hohen Sättigungsgeschwindigkeiten für Elektronen - sowie Steilheiten bis über 1kS/m für subµm-Gate HFET’s voraus. Für Bauelemente mit verspanntem Kanal finden wir, daß piezoelektrische Felder einen signifikanten, die Transistoreigenschaften verbessernden Einfluß haben können.