Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 16: GaN I
HL 16.6: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 11:45–12:00, H15
Optische Charakterisierung von InGaN-Heterostrukturen mit Photothermischer Deflektionsspektroskopie
— •C. R. Miskys1, J. W. Kim1, O. Ambacher1, M. Stutzmann1, F. Scholz2 und J. Off 2 — 1Walter Schottky Institut, TU M=FCnchen, Am Coulombwall , D-85748 Garching — 24. Physikalisches Institut, Kristallabor, Universit=E4t Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, D-70569 Stuttgart
Die Absorption von dünnen InGaN-Schichten in GaN/InGaN- und GaN/InGaN/GaN-Heterostrukturen wurde mit Photothermischer Deflektionsspektroskopie (PDS) untersucht. Mittels MOCVD hergestellte Proben mit bis zu 24% In-Gehalt sowie InGaN quantum wells mit Dicken von 0,8 bis 20nm und 5,6% In-Gehalt wurden analysiert. Ein Ma=DF für die Qualität der Schichten ist die Urbach Energie, deren Zunahme mit steigendem In-Gehalt gezeigt wird. Die Bandkantenverschiebung zu niedrigeren Energien ist bei steigender In-Konzentration deutlich zu erkennen. Bei den quantum wells ermöglicht die PDS-Methode die Bestimmung der effektiven Bandlücken bis zu Schichtdicken von 1nm. Beobachtet wird ein Anstieg der Energie der bandnahen Photolumineszenz und effektiven Bandlücke mit abnehmender Dicke des InGaN quantum wells (d<8nm). Desweiteren wird der Einflu=DF einer GaN-Deckschicht auf die optischen Eigenschafften dünner InGaN-Schichten diskutiert.