Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 16: GaN I

HL 16.7: Talk

Tuesday, March 24, 1998, 12:00–12:15, H15

Gitterplatzbestimmung von ionenimplantiertem Na in GaN und AlN — •M. Dalmer¹, M. Restle¹, H. Hofsäss¹, M.D. Bremser² und R.F. Davis² — ¹Fakultät für Physik, Universität Konstanz — ²North Carolina State University, Department of Materials Science and Engerneering, Box 7907, Raleigh, NC, 27695, USA

Die Gitterplätze ionenimplantierter Na Fremdatome in GaN und in AlN wurden mit der Emission - Channeling Methode untersucht. Hierzu wurde ²⁴Na (Halbwertszeit = 15.02 h) mit 60 keV am Isotopenseperator ISOLDE am CERN in Genf implantiert und erstmals Channelingspektren der Elektronen aus dem radioaktiven Zerfall des ²⁴Na nach isochronem Anlassen bis auf 800 ^∘C gemessen. Aus den gemessen Channelingeffekten wurden durch Anpassung von den theoretischen Spektren, die mit dem Manybeam Formalismus berechnet wurden, Aussagen über die Besetzung der Gitterplätze gewonnen. Natrium befindet sich nicht wie für eine Alkaliatom in einem III-V Halbleiter zu erwarten gewesen wäre auf interstitiellen Plätzen sondern es weist auch einen beträchtlichen Anteil auf substitutionellen Plätzen im Wurtzitgitter auf. Außerdem zeigt sich beim AlN eine Zunahme des substitutionellen Anteils mit zunehmender Anlaßtemperatur.