Regensburg 1998 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 16: GaN I
HL 16.9: Talk
Tuesday, March 24, 1998, 12:30–12:45, H15
n-Dotierung von GaN und AlGaN für elektrische Bauelemente — •R Dimitrov1, H.P. Fesl1, L. Görgens1, O. Ambacher1, M. Stutzmann1, W. Rieger2 und G. Tränkle2 — 1Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, 85748 Garching — 2Ferdinand Braun Institut für Höchstfrequenztechnik, Rudower Chaussee 5, 12489 Berlin
Das Beherrschen der n-Dotierung ist für die Realisierung von
elektrischen Bauelementen eine der wichtigsten Voraussetzungen.
Für ihre Untersuchung wurden mittels PIMBE epitaktische Filme
im gesamten Kompositionsbereich zwischen GaN und AlN
hergestellt. Als Donator wurde Si verwendet. Dabei wurden unter
anderem bei konstantem Al-Gehalt die Si-Konzentration variiert,
sowie bei konstanter Si-Konzentration der Al-Gehalt. Mit
temperaturabhängigen Hall- und Leitfähigkeitsmessungen
wurde die Aktivierungsenergie des Donators bestimmt.
Röntgenbeugung liefert Informationen über die Variation
der Verspannung in der Schichten bei unterschiedlicher
Si-Konzentration. Als weitere Ziele in Richtung Transistor
wurden die Kontaktwiderstände, sowie die Kontaktmorphologie
untersucht. Dabei wurden Werte von 1x10−6 Ohm/cm2
erreicht.
Erste SIMS und ERDA Resultate geben Information über die
Dotierkonzentartion und Dotierprofile in GaN/AlGaN Heterostrukturen.