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Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 16: GaN I

HL 16.9: Talk

Tuesday, March 24, 1998, 12:30–12:45, H15

n-Dotierung von GaN und AlGaN für elektrische Bauelemente — •R Dimitrov1, H.P. Fesl1, L. Görgens1, O. Ambacher1, M. Stutzmann1, W. Rieger2 und G. Tränkle21Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, 85748 Garching — 2Ferdinand Braun Institut für Höchstfrequenztechnik, Rudower Chaussee 5, 12489 Berlin

Das Beherrschen der n-Dotierung ist für die Realisierung von elektrischen Bauelementen eine der wichtigsten Voraussetzungen. Für ihre Untersuchung wurden mittels PIMBE epitaktische Filme im gesamten Kompositionsbereich zwischen GaN und AlN hergestellt. Als Donator wurde Si verwendet. Dabei wurden unter anderem bei konstantem Al-Gehalt die Si-Konzentration variiert, sowie bei konstanter Si-Konzentration der Al-Gehalt. Mit temperaturabhängigen Hall- und Leitfähigkeitsmessungen wurde die Aktivierungsenergie des Donators bestimmt.
Röntgenbeugung liefert Informationen über die Variation der Verspannung in der Schichten bei unterschiedlicher Si-Konzentration. Als weitere Ziele in Richtung Transistor wurden die Kontaktwiderstände, sowie die Kontaktmorphologie untersucht. Dabei wurden Werte von 1x10−6 Ohm/cm2 erreicht.
Erste SIMS und ERDA Resultate geben Information über die Dotierkonzentartion und Dotierprofile in GaN/AlGaN Heterostrukturen.

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