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Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 16: GaN I

Tuesday, March 24, 1998, 10:30–13:00, H15

10:30 HL 16.1 Optische Verstärkung in kubischen GaN Epischichten — •J. Holst, L. Eckey, A. Hoffmann, I. Broser, B. Schöttker, D.J. As, D. Schikora und K. Lischka
10:45 HL 16.2 Wachstum und Charakterisierung von InGaN-Schichten auf GaN — •A. Ramakrishnan, D. Behr, N. Herres, U. Kaufmann, M. Kunzer, M. Maier, S. Müller, H. Obloh und J. Wagner
11:00 HL 16.3 Perspektiven für GaN-basierende Heterostruktur-Bauelemente — •F. Compagnone, G. Zandler, J. A. Majewsky, M. Städele, R. Oberhuber und P. Vogl
11:15 HL 16.4 "Uber die Natur der gelben Lumineszenz: Vergleichende ortsaufgel"oste Kathodolumineszenzmessungen an selbstorganisierten GaN-Pyramiden und planaren GaN-Epischichten — •D. Rudloff, F. Bertram, T. Riemann, M. Schmidt, J. Christen, L. Eckey, A. Hoffmann, and K. Hiramatsu
11:30 HL 16.5 Elektrische Eigenschaften von GaN nach Mg+- und Ca+-Ionenimplantation — •A. Wenzel, B. Mensching, C. Liu und B. Rauschenbach
11:45 HL 16.6 Optische Charakterisierung von InGaN-Heterostrukturen mit Photothermischer Deflektionsspektroskopie
— •C. R. Miskys, J. W. Kim, O. Ambacher, M. Stutzmann, F. Scholz und J. Off
12:00 HL 16.7 Gitterplatzbestimmung von ionenimplantiertem Na in GaN und AlN — •M. Dalmer, M. Restle, H. Hofsäss, M.D. Bremser und R.F. Davis
12:15 HL 16.8 Gitterplatzbestimmung und Lumineszenzverhalten der Seltenen Erden in Galliumnitrid — •U. Vetter, M. Dalmer, C. Ronning, A. Stötzler, H. Hofsäss, M.D. Bremser und R.F. Davis
12:30 HL 16.9 n-Dotierung von GaN und AlGaN für elektrische Bauelemente — •R Dimitrov, H.P. Fesl, L. Görgens, O. Ambacher, M. Stutzmann, W. Rieger und G. Tränkle
12:45 HL 16.10 Direkte Beobachtung von Nanoclustern in MBE-InGaN mittels hoch-ortsaufgelöster Kathodolumineszenz–Mikroskopie — •F. Bertram, M. Schmidt, T. Riemann, J. Christen, T. Boettcher, S. Einfeldt und D. Hommel
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