Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 17: Symposium: Kohlenstoffhaltige Halbleiterschichten

HL 17.2: Talk

Tuesday, March 24, 1998, 11:00–11:30, H1

Charakterisierung von CVD-Diamantschichten: elektronische Zustände — •R. Sauer — Abt. Halbleiterphysik, Universität Ulm, 89069 Ulm

Mit Zielsetzung auf vielfältige Anwendungen, darunter auch elektronische Bauelemente, werden CVD-Diamantschichten auf Fremdsubstrat seit Jahren intensiv studiert. Gängigstes Substratmaterial ist dabei (001)-Silizium. Solche Schichten sind wegen der großen Gitterfehlanpassung zwischen Substrat und Schicht polykristallin, auch wenn sie durch spezielle Wachstumsbedingungen ,,quasi-epitaktisch” abgeschieden werden können. Neben Störstellen, die von natürlichen Diamanten bekannt sind, enthalten sie auch wachstumsspezifische Defekte. CVD macht Dotierung mit dem Akzeptor Bor in variablen Konzentrationen möglich. Dabei ergeben sich einstellbare Aktivierungsenergien. N-Leitung, hoch wünschenswert für Anwendungen, wurde schon durch Phosphor- oder Arsen-Dotierung im CVD-Prozeß oder durch Ionenimplantation und Ausheilen erreicht, ist bisher jedoch nicht eindeutig interpretierbar. Unterschiedliche optische Daten legen allerdings die Existenz Phosphor-korrelierter Donatorzustände nahe. Über den aktuellen Stand zu solchen grundlagen- wie anwendungsbezogenen Fragen wird berichtet.