Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 17: Symposium: Kohlenstoffhaltige Halbleiterschichten

HL 17.4: Fachvortrag

Dienstag, 24. März 1998, 12:00–12:30, H1

Elektronische Eigenschaften der Ober- und Grenzflächen von Diamant — •Ralf Graupner, Jürgen Ristein und Lothar Ley — Institut für Technische Physik, Universität Erlangen-Nürnberg, Erwin-Rommelstr. 1, 91058 Erlangen

Es werden zunächst die elektronischen Eigenschaften von reinen und adsorbatbedeckten Diamantoberflächen diskutiert. Im Vordergrund stehen dabei die (100)- und (111)-Oberflächen und Wasserstoff als das wichtigste Adsorbat, das auch in der CVD-Diamantsynthese eine große Rolle spielt. Die Dispersionsrelationen der besetzten Oberflächenzustände der reinen Oberflächen sowie Zustandsdichten von unbesetzten Oberflächenzuständen werden diskutiert. Mit einer Änderung der Oberflächenzustandsdichte sind deutliche Änderungen in der Oberflächenbandverbiegung verbunden. Besondere Eigenschaften wasserstoffbedeckter Diamantoberflächen sind eine negative Elektronenaffinität, eine hohe Oberflächenleitfähigkeit sowie Elektronenemission bereits bei kleinen elektrischen Feldern.

Neben den elektronischen Eigenschaften der Oberflächen sind auch die der Grenzflächen zwischen Diamant und Metall von Bedeutung. Es wird ein Überblick über den Stand der Forschung auf diesem Gebiet gegeben.