Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 19: II-VI Halbleiter

HL 19.1: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 16:00–16:15, H16

Gitterparameterfluktuationen in II-VI Halbleiter-Heterostrukturen (BeMgZnSe)
— •J. Müller¹, R. Wittmann¹, D. Gerthsen¹, F. Fischer² und G. Landwehr² — ¹Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Universität Karlsruhe (TH), Kaiserstr.12, D-76128 Karlsruhe — ²Physikalisches Institut, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg

Es wurde das Phänomen des Specklekontrastes in quaternären II-VI Be₂Mg₃Zn₄₅Se₅₀-Schichten auf (001) GaAs-Substrat untersucht. Transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen zeigen im (400)-Zweistrahlfall einen Kontrast aus hellen und dunklen Flecken (Speckles) mit Durchmessern von 20-50 nm. Ein Erklärungsmodell sieht als Ursache dieses Kontrastes eine lokale Fluktuation der Zusammensetzung und damit der Gitterparameter vor. Mit Hilfe der Methode der konvergenten Elektronenbeugung (CBED) wurde in Querschnittsproben die Epitaxieschicht auf Fluktuationen des Gitterparameters untersucht, indem experimentelle CBED-Aufnahmen in der [240]-Zonenachse mit kinematisch simulierten Bildern bezüglich der Lage der HOLZ-Linien verglichen wurden. Es ergaben sich Schwankungen des Gitterparameters mit einer relativen Amplitude Δa/a von ca 0.05%. Dies entspricht nach Vegards Gesetz einer Konzentrationsänderung der Elemente in der Größenordnung von einem Atomprozent. Die Ergebnisse werden im Rahmen verschiedener Erklärungsmöglichkeiten diskutiert.