Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 19: II-VI Halbleiter

HL 19.12: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 18:45–19:00, H16

Pd-Diffusion in ZnTe und CdTe — •S. Hermann¹, H.-E. Mahnke¹, B. Spellmeyer¹, M. Wienecke², B. Reinhold², R. A. Yankov³ und H.-E. Gumlich⁴ — ¹HMI Berlin GmbH, 14109 Berlin — ²HU Berlin, 10099 Berlin — ³FZ Rossendorf, 01314 Dresden — ⁴TU Berlin, 10623 Berlin

Mit der Methode der Tracerdiffusion wurde die Diffusion von ¹⁰⁰Pd in metall- oder tellurreichem ZnTe und CdTe untersucht. Die instabilen ¹⁰⁰Pd-Atome wurden am Ionenstrahllabor ISL des HMI über eine Kernreaktion erzeugt und mittels Rückstoßimplantation bis zu 4µm tief in die Proben gebracht. Ein Teil der Proben wurde am FZ Rossendorf bis zu dieser Tiefe mit N, P oder As vordotiert. In ZnTe:Te und CdTe:Te (in beiden dotierungsunabhängig), sowie dotiertem ZnTe:Zn wird nach dem Ausheilen der Strahlenschäden (20min bei 900K) ein Anteil von Pd-Atomen gefunden, der in dem Implantationsgebiet verweilt, sowie ein quasi frei über das Zwischengitter diffundierender Anteil. In ZnTe:Zn und CdTe:Cd (letzteres dotierungsunabhängig) sind die Pd-Atome nach dem Ausheilen gleichverteilt. Die Diffusionskoeffizienten für Pd in den untersuchten Halbleitern werden bestimmt und mit weiteren Diffusionsdaten zu II-VI-Halbleitern verglichen.