Regensburg 1998 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 19: II-VI Halbleiter
HL 19.14: Talk
Tuesday, March 24, 1998, 19:15–19:30, H16
Ionenimplantation von As in ZnSe — •B.; M.; F.; Reinhold; Wienecke; Henneberger;ISOLDE Collaboration — Humboldt-Universität zu Berlin, Institut für Physik, Invalidenstr. 110, 10115 Berlin — CERN-PPE, CH 1211 Genf 23
ZnSe Massivkristalle wurden mittels Ionenimplantation mit As dotiert. Nach einer ersten thermischen Behandlung zur Ausheilung des Strahlenschadens bei 400∘ C wurde in den=20 Photolumineszenzspektren dieser Proben ein dem As zuzuordnendes flaches Akzeptorniveau mit einer I1 Linie bei 2.7931 eV beobachtet.Gleichzeitig trat ein tiefes Zentrum bei 2.15 eV auf. Nach einer Erhöhung der Ausheiltemperatur auf 600∘ C=20 nimmt die Intensität des flachen Akzeptorniveaus drastisch ab , die des tiefen Zentrums steigt an.Diese Beobachtungen korellieren=20 mit dem von Chadi /1/ diskutierten Modell f=FCr As Und P in ZnSe:=20 Es treten zwei Zustände auf, ein metastbiler effective-mass-like Zustand und ein durch Gitterrelaxation entstehender tiefer Zustand. Um zu bestätigen, daß die beobachteten Niveaus dem=20 eingebauten As zuzuordnen sind, wurden weitere Untersuchungen=20 an mit dem radioaktiven Isotop 73 As implantierten ZnSe=20 Proben durchgeführt. Das Isotop 73 As zerfällt mit einer Halbwertszeit von 80.3d in Ge. Die im zeitlichen Verlauf ddieses Zerfalles wiederholt aufgenommenen Potolumineszenzspektren zeigten, daß die Intensität beider dem As zugeordneten Niveaus mit Abnahme der As-Konzentration in den Proben zurück=20 ging. /1/ D.J.Chadi, Appl.Phys.Lett.59,27,1991