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HL: Halbleiterphysik
HL 19: II-VI Halbleiter
HL 19.2: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 16:15–16:30, H16
Optimierung von Kontakten zu p-ZnSe — •M. Klude, H. Wenisch, M. Fehrer, V. Großmann, K. Ohkawa und D. Hommel — Institut für Festkörperphysik - Bereich Halbleiterepitaxie - Kufsteiner Str. NW1, 28359 Bremen
Um die Lebensdauer von Kontakten zu p-ZnSe zu verbessern, wurde die
Stickstoff-Dotierung von ZnSe optimiert. Durch Variation der
Wachstumsbedingungen wurde eine freie Ladungsträgerkonzentration
NA−ND von 1.4 × 1018 cm−3 erreicht.
Darüberhinaus wurde das Wachstum von ternärem ZnTeSe untersucht. Es
ist bekannt, daß sich beim Wachstum von rein-ternärem ZnTeSe der
Te-Gehalt nicht ausreichend gut kontrollieren läßt. Deshalb wurde
pseudo-ternäres ZnTeSe in Form von ZnTe/ZnSe-Übergittern hergestellt.
Es wurden Schichten mit einem reproduzierbaren Te-Gehalt im Bereich bis
50% realisiert. Dabei wurde eine nichtlineare Abhängigkeit der
Te-Wachstums-rate vom Te-Angebot beobachtet.
Transmission-Line-Measurement (TLM) Untersuchungen zur Bestim-
mung des spezifischen Kontaktwiderstandes werden präsentiert, um
Kontaktstrukturen mit linearem und parabolischem, sowie einem nach [1]
optimierten ZnTe-Gehalt im Übergitter zu vergleichen.
Die Ergebnisse werden auf ZnSe-basierte Laserdioden übertragen und
diskutiert.
[1] Y. Fan, Appl. Phys. Lett. 67(12), 1739 (1995)