Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 19: II-VI Halbleiter
HL 19.3: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 16:30–16:45, H16
Energieniveau der Cd-Leerstelle in CdTe — •Udo Reisl"ohner, Joachim Grillenberger, and Wolfgang Witthuhn — Univ. Jena, Inst. f. Festk"orperphysik, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena
Durch die Gitterplatzbestimmung an radioaktiven Silberisotopen wurde eindeutig gezeigt [1], da"s bei T=380K substitutionelles Silber den Gitterplatz verl"a"st: AgCd→Agi+VCd.
Diese Reaktion wurde benutzt, um Kadmiumleerstellen VCd in der Raumladungszone eines Schottky-Kontakts auf p-CdTe zu erzeugen. Bei T=380K werden die interstitiellen Silberionen Agi+ bei angelegter Sperrspannung durch das starke elektrische Feld aus der Raumladungszone getrieben. Nach Abk"uhlen der Probe auf 80K unter angelegter Sperrspannung wurden Admittanzmessungen durchgef"uhrt. Nur nach Tempern unter Sperrspannung wurde ein zus"atzlicher Defekt mit einer Aktivierungsenergie EV+0.23(3)eV beobachtet. In erg"anzenden Experimenten wurde mit der PAC-Spektroskopie die Bildung von Kadmiumleerstellen VCd durch Eindiffusion von Silber gezeigt. Admittanzmessungen an diesen Proben zeigen eine dominierende St"orstelle, deren Aktivierungsenergie mit der des Defekts nach Ionendrift "ubereinstimmt. Dieses Ergebnis unterst"utzt die Zuordnung des Niveaus EV+0.23eV zu Kadmiumleerstellen.
[1] S.G. Jahn, Isolde Collaboration, H. Hofs"ass, M. Restle, C. Ronning, H. Quintel, K. Bharuth-Ram, U. Wahl, J. Cryst. Growth 161 (1996) 172