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HL: Halbleiterphysik

HL 19: II-VI Halbleiter

HL 19.5: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 17:00–17:15, H16

Thermisch induzierte Verspannungen in ZnSe-Schichten — •V. GROSSMANN, H. HEINKE, M. BEHRINGER, H. WENISCH und D. HOMMEL — Universität Bremen, Institut für Festkörperphysik - Kuf= steiner Str. NW1, 28359 Bremen

Epitaxieschichten auf ZnSe-Basis können auf GaAs-Substraten aufgrund der= geringen Gitterfehlanpassung pseudomorph aufgewachsen werden. Unterschie= dliche Ausdehnungskoeffizienten der beiden Materialien führen aber zu th= ermisch induzierten Verspannungen in den Schichten bei Variation der Temp= eratur. Die direkteste Methode zur Ermittlung des Verspannungsgrades eine= r epitaktisch gewachsenen Schicht ist durch die Röntgenbeugung gegeben. = Durch Kombination eines hochauflösenden Röntgendiffraktometers mit eine= m Röntgenkryostaten konnte der Grad der thermisch induzierten Verspannun= g im Temperaturbereich von 6 K bis 630 K bestimmt werden. Exemplarisch we= rden die Ergebnisse für eine voll verspannte und eine relaxierte ZnSe-Ei= nzelschicht präsentiert. Zusätzlich wurden pseudomorphe MgZnSSe-Schicht= en auf ZnSe- bzw. GaAs-Substraten untersucht. Die thermisch induzierte Ve= rspannung ist für alle pseudomorphen Schichten voll reversibel. Die Änd= erung des Verspannungsgrades der Schichten erfolgt über die Variation de= r vertikalen Gitterfehlanpassung, während die laterale Gitterfehlanpassu= ng konstant bleibt.