Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 19: II-VI Halbleiter
HL 19.6: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 17:15–17:30, H16
Erzeugung von Cd-Leerstellen in CdTe durch Eindiffusion von Silber — •Udo Reislöhner1, Fanny Albrecht1, Michael Uhrmacher2 und Wolfgang Witthuhn1 — 1Univ. Jena, Inst. f. Festkörperphysik, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena — 2Univ. Göttingen, II. Physikal. Inst., Bunsenstr. 7-9, 37073 Göttingen
Mit der PAC-Spektroskopie wird gezeigt, daß die Diffusion von Silber in CdTe nicht nur Kadmiumleerstellen VCd füllt, gemäß der Reaktion Agi+VCd→AgCd [1], sondern im Gegenteil durch eine andere Reaktion auch Kadmiumleerstellen erzeugt. Um die anfängliche Cd-Leerstellen-konzentration so gering wie möglich zu halten, wurde n-CdTe gewählt, das mit einer Cd-Zusatzquelle gezogen (Crystal GmbH Berlin) und zusätzlich unter erhöhtem Cd-Dampfdruck nachgetempert wurde (24h 1000K). Die 111In PAC-Sonden wurden mit 400keV implantiert. Als Konsequenz der geringen VCd Konzentration ist bereits bei T=760K (25min) eine Ausdiffusion von 60 Prozent der 111In Sonden zu beobachten. In VCd reichem p-CdTe tritt bei dieser Temperatur keine Ausdiffusion auf. Nach Eintauchen in eine AgNO3 Lösung zeigt sich ein starker Anstieg in der Konzentration von 111In-VCd Paaren, welcher nur
durch die Bildung von Kadmiumleerstellen zu erklären ist.
[1] H. Zimmermann, R. Boyn, P. Rudolph, J. Bollmann, A. Klimakov, R. Krause; Mater. Sci. Eng. B16 (1993) 139