Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 19: II-VI Halbleiter

HL 19.7: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 17:30–17:45, H16

Optische Eigenschaften von ZnO-Schichten — •T. Christmann¹, B. Farangis¹, B. K. Meyer¹, D. Schalch¹, T. Yao² und Z. Zhu² — ¹I. Phys. Inst. der Justus-Liebig-Universit=E4t Giesen
Heinrich-Buff-Ring
16 D-35392 D-Giesen — ²Institute of Material Research
Tohoku University 2-1-1 Katahira
Aoba-ku
Sendai 980, Japan

Bei der Herstellung von epitaktischen GaN-Schichten stoeßt man auf das Problem, keine optimal angepaßte Substrate zu haben. Die üblicherweise verwendeten Al₂O₃- bzw. SiC-Substraten verursachen aufgrund der schlechten Gitteranpassung Verspannungen und Versetzungen. Als mögliche Alternative bieten sich ZnO-Bufferschichten an. Die ZnO-Schichten wurden durch reaktives RF-Sputtern eines Zinktargets in einer Sauerstoff-Argon-Atmossphäre auf verschiedenen Substraten (SiC, Al₂O₃, SiO₂) abgeschieden. Die Qualität der Bufferschichten kann mit optischen Methoden (PL, Absorption) und Röntgenbeugung überprüft werden. Die Ergebnisse werden diskutiert und in Relation zu unseren Messungen an MBE-ZnO-Schichten gestellt.