Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 19: II-VI Halbleiter

HL 19.8: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 17:45–18:00, H16

Einfluss der Pr"aparation auf optische Eigenschaften von Halbleiterclustern — •G. Bour, R. Neuendorf, and U. Kreibig — I. Physikalisches Institut, RWTH Aachen, Postfach, 52056 Aachen

Optische und elektronische Eigenschaften von II–VI–Halbleitercluster von 1nm bis 50nm Durchmesser wurden in

Abh"angigkeit von der Teilchengr"oße und dem chemischen Herstellungsverfahren mittels Photolumineszenz– und Transmissionsmessungen im sichtbaren Spektralbereich untersucht.

Es konnte best"atigt werden, daß sich die elektronischen Eigenschaften bei den untersuchten Materialien "uber einen weiten Bereich variieren lassen.

Einen erheblichen Einfluß zeigt die Wahl des Stabilisators, dessen chemische Bindung an die Cluster zus"atzlich mittels FTIR Spektroskopie charakterisiert wurde.